■3月10日
･TSMC、10年2月売上高は前年比2.5倍増
･UMC、10年2月売上高は前年比2.7倍増
･ST、2種類のインタフェースを搭載したRFID互換性EEPROMを発表
･JSR、高輝度LED用材料を発表
･Novellus、TSV形成プロセス向けCuシード層形成技術を発表
･DelSolar、台南の新工場建設を正式承認
･村田製作所、モバイル用燃料電池向けマイクロポンプを開発
■3月9日
･2010年の半導体設備投資額は400億米ドル突破の見通し
･LFoundryとEPCOS、RF-MEMS製品製造で提携
･ProMOS、10年2月売上高は前年比倍増
･Winbond、10年2月売上高は前年比倍増超に
･MXIC、10年2月売上高は前年比12％増
･ASE、10年2月売上高は前年比3倍増、前月比約50％増
･SPIL、10年2月売上高は前年比57％増
･ルネサス、カメラシステム大半を1チップ化した新製品を発表
･Xilinx、車載向け製品ラインを拡充
･XilinxとInova Semiconductors、車載向け広帯域幅ビデオ接続ソリューションを発表
･AUO、10年2月売上高は前年比倍増
･CMO、10年2月売上高は前年比倍増、大型パネル出荷は58％増
･ADI、短距離ワイヤレス・システム向けRFトランシーバを発表
■3月8日
･09年4Qの世界半導体設備稼働率は89％に回復
･Hynix、TSVを応用したWLPを開発
･ST、STM32マイコンの超低価格新製品ラインを発表
･TI、電源管理と温度管理の両機能をワンチップ化したシステム動作監視ICを発表
･ADI、新しいリチウムイオン電池のモニタ／保護システムを発表
･LG Display、大型LCDモジュール生産が累積5億台を突破
･2010年の半導体工場向け投資額は前年比88％増
■3月5日
･ST、90nmプロセスでフラッシュメモリ、独自アクセラレータ搭載の32ビットMCUを発表
･IBM、光配線を利用した超高速デバイスを開発
･Intel、ストレージ用途向けAtomプロセサ・プラットフォームを発表
･IBM、次世代x86サーバ技術により従来比6倍、業界最大メモリ容量を実現
･Suntech、09年出荷量は42％増、売上高は12％減
■3月4日
･X-FAB、シングルブロックの組み込み NVRAM を発表
･Intel、優秀な資材/サービス供給企業を表彰
･Nanya Technology、10年2月売上高は前年比倍増
･Actel、ARM Cortex-M3プロセサ、プログラマブル・アナログ搭載のFPGAを発表
･昭和電工、高純度シクロヘキサノンの生産拠点を中国に新設
･産総研、低コスト金属基板CIGS太陽電池で変換効率16%を達成
･大日本印刷、デザイン性、携帯性に優れた低価格・小型非接触ICタグを発表
･三菱電機、液晶テレビ「REAL」MXシリーズ新製品を発売
■3月3日
･PSC、10年2月売上高は前年比4倍増
･Inotera Memories、10年2月売上高は前年比47％増
･NEC、NECELが世界最小レベルの消費電力と低雑音を両立したPLLを開発
･富士通マイクロエレクトロニクス、少ピン8ビットマイコンのラインナップを拡充
･Freescale、90nm薄膜ストレージフラッシュメモリ技術を次世代MCUに搭載
･AMD、高い3Dグラフィクス性能を実現する新型チップセットを発表
･ST、MBフラッシュメモリ内蔵の新32ビットMCUを発表
･TI、超低消費電力16ビットMCUの8ビット製品並廉価版を発表
･IR、DDコンバータ用マルチチップ・モジュール6品種を製品化
■3月2日
･10年1月の世界半導体市場は前年比47％増
･産総研が大型単結晶ダイヤモンドモザイクウェーハを開発
･ST、高効率で環境設計基準準拠のショットキ整流ダイオードの新製品を発表
･京セラ、太陽電池セル新工場竣工、12年度生産量は1GWに拡大
･昭和シェルソーラーが社名変更、海外販売子会社を設立
･SolarWorld、投資ファンドと共同でアラビア半島に多結晶Si製造工場を建設
･ニューフレア、凸版印刷、大日本印刷を割当先に増資
･SunPower、東芝と32MWの太陽電池パネル供給で提携
■3月1日
･NXP、09年度4Q売上高は前年度比13％増、通年は31％減
･SPIL、DRAMテスタ、LCDドライバ組立・テスタ装置をChipMOSに売却
･新日本無線、オーディオ機器向け2回路入り高音質オペアンプ量産開始
･三菱電機、太陽電池セル第2工場を竣工、単結晶Siセル事業に参入
･東芝、住宅用太陽光発電システム事業に参入
･Trina Solarの09年度業績、出荷量は倍増も売上高横ばい
･産総研、光電変換効率15.9％のCIGS太陽電池サブモジュールを開発
■2月26日
･2010年の世界半導体市場は20％増へ
･CipMOS、10年1月売上高は前年比71％増
･三菱電機、衛星搭載用C帯GaN HEMT高出力増幅器を開発
･First Solar、09年度は前年比大幅増収増益、生産量も倍増
･Q-Cells、09年は大幅減収、赤字も10億ユーロ超
･昭和シェル石油と中外炉工業がCIS太陽電池生産技術を共同開発
■2月25日
･ルネサス、経営基盤の強化にてグループ事業を再編
･ルネサス、800V耐圧で高転流、接合温度150℃を実現したトライアックを製品化
･Samsung、40nmクラスの4G DDR3-DRAMを発表
･三洋半導体、消費電力、実装面積を66％削減したノイズキャンセルLSIを開発
･エプソン、中小型LCDの知財権をエプソンイメージングデバイスに吸収分割
･エプソン、3LCD方式プロジェクション向けHTPSの累積出荷数6000万枚突破
･サンケン電気、業界初・エッジ型CCFLバックライトを開発
･ASMI、09年度売上高は前年度比21％減
･ASMI、High-k ALD装置の新規受注2台を獲得
･東京応化工業、EUVリソグラフィ向け現像液を開発
･三菱マテリアル、高い加工能率とコスト削減のCMPコンディショナ開発
■2月24日
･10年の世界上位10社半導体設備投資額は前年比67％増の見通し
･Infineon、エルピーダメモリを特許権侵害で提訴
･NXP、ARM Cortex-M4プロセサのライセンスを取得
･ST、55nmプロセスによるフラッシュメモリ内蔵車載マイコンを発表
･ST、保護機能と終端機能を組み合わせたICを発表
･Infineon、3Gスマートフォン向けに世界最小のHSPA+ソリューションを発売
･NS、PMBusシステム・パワーマネジメント/プロテクションICを発表
･IR、GaNデバイス搭載のDDコンバータ・モジュールを発表
･Altera、40nmプロセスによる「Arria II GX」FPGAの量産出荷開始
･ミツミ電機、リチウムイオン2次電池直列2セル以上に対応の保護ICを発表
･東京エレクトロン、SEMATECHのEUVリソグラフィプログラムに参画
･日立ハイテクとXeroCoat、太陽電池用反射防止膜塗布装置、材料で提携
■2月23日
･Xilinx、28nmプロセス採用の次世代のプラットフォームを開発
･セイコーエプソン、1.1V動作の超低消費電力4ビットマイコンを量産開始
･ローム、0.9V駆動タイプの低電圧駆動MOSFETを発表
･ローム、カーオーディオなど向けサウンドプロセッサ18機種を発表
･Infineon、高効率LED照明用ドライバを発表
･KLA-Tencor、EUVとダブルパターニング技術向けのPROLITHツールを発表
･JSR、ダブルパターニング向けノントップコートArFフォトレジスト開発
･三菱電機、16：3の横長19.2型LCDを発売
■2月22日
･Amkor、09年度売上高は前年度比18％減
･Samsung、ARM、GPU技術に協業を拡大
･Samsung、45nmプロセスによるXilinx製FPGAのファンドリ生産を開始
･TSMCがASMLのEUV装置を導入
･TSMC、MAPPERが次世代マスクレス・リソグラフィ技術の共同開発
･NECエレクトロニクス、自動車ライト駆動用インテリジェント・パワー・デバイスを発売
■2月19日
･2010年の世界DRAM市場は40％増へ
･SMICの09年度4Q売上高は前年度比22％増
･Infineon Technlogies、Dual-SIM対応の新プラットフォームを発表
･LSI、最高100Gbpsのワイヤレス性能を実現する新通信プロセサを発表
･北米半導体製造装置企業の10年1月のB/Bレシオは1.20に回復
･10年1月の日本製半導体製造装置のB/Bレシオは1.36
･東京エレクトロン、IBMとダブルパターニング技術の量産対応を共同評価
■2月18日
･ADI、10年度1Q売上高は前期比6％増
･NECエレ、ダッシュボード用8ビットマイコン14品種を発売
･NXP、120MHz動作のARM Cortex-M3ベースMCUを発表
･三洋半導体、フレキシブルアンプ内蔵、アナログ機能を強化8ビットMCUを開発
･Freescale、エネルギー効率を高めた高精度3軸加速度センサを発表
･村田製作所、積層セラミックコンデンサ 1608サイズ 10μF 25V定格品を開発
・AMAT、10年度1Q売上高は前年度比39％増、通年成長率見通しは50％強
･ニコン、本社を移転
･カシオ計算機、中小型ディスプレイを分社化
■2月17日
･IntelとNokia、Linuxベースのソフトウェア・プラットフォーム統合
･10年1月売上高は、TSMCが前年比2.3倍増、UMCが同2.7倍増
･NEC、NECEL、16Gbpsの次世代高速通信インタフェースの基本回路技術を開発
･IBM、100GHz動作のRFグラフェントランジスタをデモ
･NECエレ、大幅な低消費電力化、小型化を実現した32ビットMCUを発表
･TI、OMAP4プラットフォームを発表
･TI、無線LAN、GPS、Bluetooth、FM送受信の機能を集積したLSIを発表
･09年4Qのシリコンウェーハ出荷面積は前期比7％増
･TEL、imecとの最先端EUVリソグラフィ技術の共同研究を拡大
･ディスコ、呉工場に新棟を建設
･東芝、600GB容量の2.5型エンタープライズ向けHDDを発表
■2月16日
・三菱電機、多結晶Si太陽電池セルで高光電気変換効率を達成
・三菱電機、太陽光発電システムの出力最大化技術を開発
・三菱電機、薄膜Si太陽電池セルで光電気変換効率14.8％を実現
・東光、10年3月期3Q連結累計は売上高前年同月比24.8％減
・TI、ポータブル機器向け小型のClass-Dオーディオ・アンプを発表
・アルバック理工、共振ずり測定装置｢RSM-1｣を商品化
・ソニー、有機ELTVの国内販売を終了
・昭和シェル石油、09年12月期連結通期は太陽電池事業を強化
■2月15日
・東芝と産総研、露光精度を約20%向上するマスクパターン最適化技術を開発
・NECエレ、eDRAM技術による携帯端末機器向け画像処理LSIを発売
・日本インター、10年3月期3Q連結累計は売上高前年同期比11.4％減
・東京精密、10年3月期3Q連結累計は売上高前年同期比54.1％減
・ダイフク、10年3月期3Q連結累計は売上高前年同期比42.2％減
・日本電子、10年3月期3Q連結累計は売上高前年同期比14.0％減
■2月12日
･シチズン、10年3月期3Q連結累計は売上高前年同期比22.5％減
･PSC、10年1月売上高は前年比3.7倍増
･ProMOS、10年1月売上高は前年比2.1倍増
･10年1月売上高、Nanyaは前年比3.5倍増、Winbnondは同2.4倍増、MXICは同78.1％増
･東芝、携帯電話向けフルHD対応アプリケーションプロセッサのプラットフォームを開発
･新日本無線、新COBPフォトリフレクタのサンプル配布開始
･大日本スクリーン、10年3月期3Q連結累計は売上高前年同期比35.1％減
･日本精機、10年3月期3Q連結累計は売上高前年同期比30.2％減
･パナソニック、バンクーバー2010冬季オリンピックでフルHD・3Dシアターを開設